STP2N62K3
![](/img-new/pdf.png)
STP2N62K3 datasheet
-
МаркировкаSTP2N62K3
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP2N62K3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 620 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 30 V Continuous Drain Current: 2.2 A Resistance Drain-Source RDS (on): 3.6 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 45 W
-
Количество страниц22 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p> <p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p>](/images/cache/aeac000bf61ac666360adf9c7451dd8c.png)
10.06.2024
![<p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p> <p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p>](/images/cache/c50c2531408230a0ca82da73d6f89f2b.png)
09.06.2024
![<p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p> <p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p>](/images/cache/e9af8a61da4e6a2cdc233e14d3777562.png)
08.06.2024