SI2318CDS-T1-GE3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI2318CDS-T1-GE3 datasheet

• Маркировка
  SI2318CDS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI2318CDS-T1-GE3 Configuration: Single Continuous Drain Current: 5.6 A Drain-source Breakdown Voltage: 40 V Forward Transconductance Gfs (max / Min): 17 S Gate Charge Qg: 5.8 nC Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23 Part # Aliases: SI2318CDS-GE3 Power Dissipation: 2.1 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.035 Ohms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.035 Ohms Forward Transconductance gFS (Max / Min): 17 S
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2318CDS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 200,85 KB